基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿方法及其电路

摘要：

本发明涉及一种基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿方法及其电路，方法包括：对电源进行稳压和电压偏置；将所述霍尔电压信号转换为单端电压并进行失调电压消除，将处理后的电压信号与设定的阈值电压进行迟滞比较；所述设定的阈值电压的温度系数与霍尔薄片的霍尔迁移率的温度系数相等。本发明中所产生的迟滞比较器阈值电压的温度系数与霍尔薄片所用材料的电子迁移率的温度系数相同，从而抵消了霍尔迁移率的温度系数，使霍尔开关可以工作在-40～150℃温度范围内。与现有技术相比，本发明可以在CMOS工艺基础上，使用较少的元器件，使霍尔开关能在较宽温度范围内正常工作。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110103117.9

申请日期：2011-04-22

公开/公告号：CN102185600A

公开/公告日：2011-09-14

主分类号：H03K17/90(2006.01)I

申请/专利权人:灿瑞半导体（上海）有限公司

发明/设计人:张良;罗杰;罗立权;刘心泽

主申请人地址:200081 上海市虹口区四川北路1717号1006室

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司 31002

代理人:邓琪

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿方法，包括如下步骤：对电源进行稳压和电压偏置；将稳压后的电压施加在霍尔薄片上；霍尔薄片感应磁信号并将其转化为霍尔电压信号；将所述霍尔电压信号转换为单端电压并进行失调电压消除，得到处理后的电压信号；将处理后的电压信号与设定的阈值电压进行迟滞比较；电压偏置所产生的电压为所述将所述霍尔电压信号转换为单端电压并进行失调电压消除、将处理后的电压信号与设定的阈值电压进行迟滞比较提供电压；为将所述霍尔电压信号转换为单端电压并进行失调电压的消除、将处理后的电压信号与设定的阈值电压进行迟滞比较提供时钟信号和逻辑控制信号；所述设定的阈值电压的温度系数与霍尔薄片的霍尔迁移率的温度系数相等。