低噪声放大器保护开关

摘要：

本发明公开了一种低噪声放大器保护开关，开关的公共端连接至天线，开关的发射端连接至负载，开关的接收端连接至低噪声放大器，公共端通过至少一个第一组二极管连接至发射端，公共端通过至少一个第二组二极管连接至接收端，其中，第一组二极管和第二组二极管均包括并联的二极管。本发明解决了现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题，进而达到了提高功率容量以及可靠性的效果。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110102399.0

申请日期：2011-04-22

公开/公告号：CN102291090A

公开/公告日：2011-12-21

主分类号：H03F1/52(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:孙涵;张煜;李春阳;阮金龙

主申请人地址:518057 广东省深圳市南山区科技南路55号

专利代理机构:北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人:余刚%吴孟秋

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种低噪声放大器保护开关，所述开关的公共端连接至天线，所述开关的发射端连接至负载，所述开关的接收端连接至低噪声放大器，其特征在于，所述公共端通过至少一个第一组二极管连接至所述发射端，所述公共端通过至少一个第二组二极管连接至所述接收端，其中，所述第一组二极管和所述第二组二极管均包括并联的二极管。