一种基于负反馈的二阶带通滤波器
本发明涉及一种基于负反馈的二阶带通滤波器，属于模拟滤波器设计领域。采用PMOS管或NMOS管实现，该二阶带通滤波器包括第一NMOS管M3l、第二NMOS管M3r、第三NMOS管M2l、第四NMOS管M2r、第五NMOS管M1l、第六NMOS管M1r、第一电容C1l、第二电容C2l、第三电容C2r、第四电容C1r、第一电流源Ib1和第二电流源Ib2；本发明基于负反馈技术，不需要共模反馈电路，有效地降低功耗；仅仅使用了八个晶体管实现一个双二阶单元，要实现四阶带通滤波器仅需要十六个晶体管，结构对称简单，易于设计，有效地降低了带通滤波器电路结构的复杂度；还可以通过控制第一PMOS管和第二PMOS管与第五PMOS管和第六PMOS管的跨导比例来调整通带增益。
发明专利
CN201110101166.9
2011-04-21
CN102158193A
2011-08-17
H03H7/12(2006.01)I
清华大学
陈勇;杨佳乐;张莉;王燕;钱鹤
100084 北京市海淀区清华园1号
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
廖元秋
北京;11
一种负反馈的二阶带通滤波器，其特征在于，采用PMOS管实现，该二阶带通滤波器包括第一PMOS管(M3l)、第二PMOS管(M3r)、第三PMOS管(M2l)、第四PMOS管(M2r)、第五PMOS管(M1l)、第六PMOS管(M1r)、第一电容(C1l)、第二电容(C2l)、第三电容(C2r)、第四电容(C1r)、第一电流源(Ib1)和第二电流源(Ib2)；其中，第一PMOS管(M3l)的漏极接输出节点的负端(Vop)，第一PMOS管(M3l)的栅极接输入节点的正端(Vip)，第一PMOS管(M3l)的源极接电源电压(VDD)；第二PMOS管(M3r)的漏极接输出节点的正端(Vop)，第二PMOS管(M3r)的栅极接输入节点的负端(Vin)，第二PMOS管(M3r)的源极接电源电压(VDD)；第三PMOS管(M2l)的栅极接输出节点的负端(Von)，第三PMOS管(M2l)的源极接电源电压(VDD)；第四PMOS管(M2r)的栅极接输出节点的正端(Vop)，第四PMOS管(M2r)的源极接电源电压(VDD)；第五PMOS管(M1l)的漏极接地电压(GND)，第五PMOS管(M1l)的源极接输出节点的负端(Von)；第六PMOS管(M1r)的漏极接地电压(GND)，第六PMOS管(M1r)的源极接输出节点的正端(Vop)；第一电容(C1l)的负极接地电压(GND)；第二电容(C2l)的正极接输出节点的负端(Von)，第二电容(C2l)的负极接地电压(GND)；第三电容(C2r)的正极接输出节点的正端(Vop)，第三电容(C2r)的负极接地电压(GND)；第四电容(C1r)的负极接地电压(GND)；第一电流源(Ib1)的正极、第三PMOS管(M2l)的漏极、第五PMOS管(M1l)的栅极和第一电容(C1l)的正极连接在一起，第一电流源(Ib1)的负极接地电压(GND)；第二电流源(Ib2)的正极、第四PMOS管(M2r)的漏极、第六PMOS管(M1r)的栅极和第二电容(C2l)的正极连接在一起，第二电流源(Ib2)的负极接地电压(GND)。