一种超低压与非门电路

摘要：

本发明涉及一种超低压与非门电路，属于采用CMOS工艺实现的超低压电路设计领域。本发明由两个超低压与非门基本单元组成的单端输入单端输出结构；第一、第二超低压基本单元的输出端连接在一起作为超低压与非门电路的单端输入单端输出结构的输出端。本发明或由四个超低压与非门基本单元组成差分输入差分输出结构；第二和第三超低压与非门基本单元的输入端相连作为电路的两个差分输入端；第一和第四超低压与非门基本单元的输入端相连作为电路的两个差分输入端；各基本单元的输出端分别作为电路的二个差分输出端。本发明采用PMOS晶体管的体偏技术可在超低压下工作，结构对称简单，易于设计且输出信号的上升沿和下降沿对称性好。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110101066.6

申请日期：2011-04-21

公开/公告号：CN102130677A

公开/公告日：2011-07-20

主分类号：H03K19/20(2006.01)I

申请/专利权人:清华大学

发明/设计人:陈勇;杨佳乐;张莉;王燕;钱鹤

主申请人地址:100084 北京市海淀区清华园1号

专利代理机构:北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人:廖元秋

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种超低压与非门电路，其特征在于，采用单端输入单端输出结构，由第一超低压与非门基本单元(1)和第二超低压与非门基本单元(2)组成；所述第一超低压与非门基本单元(1)的第一输入端(i1)接输入端(A)，第二输入端(i2)接输入端(B)，第三输入端(i3)接地电压(VSS)，第四输入端(i4)接地电压(VSS)，第五输入端(i5)接电源电压(VDD)，第六输入端(i6)接输入端(A)，第七输入端(i7)接输入端(A)，第八输入端(i8)接地电压(VSS)，第九输入端(i9)接地电压(VSS)，第十输入端(i10)接地电压(VSS)，第十一输入端(i11)接输入端(B)，第十二输入端(i12)接输入端(A)；所述第二超低压与非门基本单元(2)的第一输入端(i1)接输入端(B)，第二输入端(i2)接输入端(A)，第三输入端(i3)接地电压(VSS)，第四输入端(i4)接地电压(VSS)，第五输入端(i5)接电源电压(VDD)，第六输入端(i6)接输入端(B)，第七输入端(i7)接输入端(B)，第八输入端(i8)接地电压(VSS)，第九输入端(i9)接地电压(VSS)，第十输入端(i10)接地电压(VSS)，第十一输入端(i11)接输入端(A)，第十二输入端(i12)接输入端(B)；所述第一超低压与非门基本单元(1)的输出端(out)和所述第二超低压与非门基本单元(2)的输出端(out)连接在一起作为超低压与非门电路的单端输入单端输出结构的输出端(QN)。