大功率半导体开关中偏压晶体管开关的系统和方法

摘要：

一种用来偏压半导体型大功率开关中的晶体管开关的系统和方法，对源极/漏极偏压提供开启极性栅极，在开启状态电压电平建立一通往所述晶体管开关中一第一晶体管开关的强反层，将所述第一晶体管开关偏压于一开启状态；以及提供关闭极性，在关闭极性电平无通往所述晶体管开关中一第二晶体管开关的渠道，将所述第二晶体管开关偏压于一关闭状态，所述关闭状态电压电平的大小仅比该开启状态电压电平的大小少一足以达成以下至少一种情况的量：使受到偏压至所述关闭状态的第二晶体管开关的杂散谐波发射低于一可接受的第二晶体管开关关闭状态杂散谐波发射预设上限；以及使该大功率开关的线性高于一可接受的大功率开关线性预设下限。可以有效改善信号质量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110094628.9

申请日期：2011-04-15

公开/公告号：CN102270982A

公开/公告日：2011-12-07

主分类号：H03K17/785(2006.01)I

申请/专利权人:思佳讯公司

发明/设计人:黄俊文;马克 道赫堤;菲利浦 麦可 安多格纳堤

主申请人地址:美国麻萨诸塞州伍本市西尔文路20号

专利代理机构:北京天平专利商标代理有限公司 11239

代理人:孙刚

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种在大功率半导体开关中偏压晶体管开关的方法，其特征在于所述方法的特征在于：对所述晶体管开关中一第一晶体管开关提供一开启状态电压电平的开启状态电压，以将所述第一晶体管开关偏压于一开启状态；以及对所述晶体管开关中一第二晶体管开关提供一关闭状态电压电平的关闭状态电压，以将所述第二晶体管开关偏压于一关闭状态，其中所述关闭状态电压电平的大小是仅比该开启状态电压电平的大小少一足以达成以下至少一种情况的量：使受到偏压至所述关闭状态的第二晶体管开关的杂散谐波发射低于一可接受的第二晶体管开关关闭状态杂散谐波发射预设上限；以及使该大功率开关的线性高于一可接受的大功率开关线性预设下限。