一种压控振荡器

摘要：

本发明公开了一种压控振荡器。压控振荡器，包括有电感L和电容C、NMOS管M1、NMOS管M2，电感L和电容C并联，NMOS管M1和NMOS管M2组成NMOS互耦对，NMOS管M1的漏极与NMOS管M2的栅极相接再与电容C的一端连接，NMOS管M2的漏极与NMOS管M1的栅极相接再与电容C的另一端连接，NMOS管M1和NMOS管M2的源极相接，还包括有NMOS管M3、NMOS管M4，NMOS管M3、NMOS管M4的漏极与NMOS管M1、NMOS管M2的源极相接，NMOS管M3、NMOS管M4的栅极分别与电容C的两端相连，NMOS管M3和NMOS管M4的源极相接后接地。本发明通过实现一种恰当偏置的电流源，在正确的时机为谐振腔注入能量，优化了LC振荡器的相位噪声性能。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110091000.3

申请日期：2011-04-12

公开/公告号：CN102158224A

公开/公告日：2011-08-17

主分类号：H03L7/099(2006.01)I

申请/专利权人:广州润芯信息技术有限公司

发明/设计人:李正平;王明照;林荣

主申请人地址:510000 广东省广州市经济技术开发区科学城新频路11号A801室

专利代理机构:广州市南锋专利事务所有限公司 44228

代理人:李永庆

国别省市代码:广东;44

权利要求：

?一种压控振荡器，包括有电感（L）和电容（C）、NMOS管（M1）、NMOS管（M2），电感（L）和电容（C）并联，NMOS管（M1）和NMOS管（M2）组成NMOS互耦对，?NMOS管（M1）的漏极与NMOS管（M2）的栅极相接再与电容（C）的一端连接，NMOS管（M2）的漏极与NMOS管（M1）的栅极相接再与电容（C）的另一端连接，NMOS管（M1）和NMOS管（M2）的源极相接，其特征在于：还包括有NMOS管（M3）、NMOS管（M4），NMOS管（M3）、NMOS管（M4）的漏极与NMOS管（M1）、NMOS管（M2）的源极相接，NMOS管（M3）、NMOS管（M4）的栅极分别与电容（C）的两端相连，NMOS管（M3）和NMOS管（M4）的源极相接后接地。