一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜及其制备方法

摘要：

一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼薄膜构成，所述六方氮化硼薄膜是厚度为0.6-0.8μm的纳米薄膜；其制备方法是：在在MOCVD沉积系统的进样室，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗，然后采用磁控溅射工艺在金刚石衬底表面沉积一层六方氮化硼h-BN薄膜。本发明的优点是：提供了一种用于高性能声表面波（SAW）器件的压电薄膜，用其制备的SAW器件频率高（≥2.5GHz），且可以承受大功率（≥37dBm），可以满足高频率和/或大功率移动通信的要求。本发明还提供了该压电薄膜的制备方法，其工艺条件方便易行，有利于大规模推广应用，具有重大的生产实践意义。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110087855.9

申请日期：2011-04-08

公开/公告号：CN102122938A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:天津理工大学

发明/设计人:薛玉明;杨保和;潘宏刚;朱亚东;刘君;宋殿友;辛治军

主申请人地址:300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区

专利代理机构:天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人:侯力

国别省市代码:天津;12

权利要求：

一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，其特征在于：由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼h?BN薄膜构成，所述六方氮化硼h?BN薄膜是厚度为0.6?0.8μm的纳米薄膜。