一种适于纳米尺度工艺的高线性度射频前端

摘要：

本发明提供一种适于纳米尺度的高频率选择性射频前端，包括具有高频输入匹配网络、低噪声跨导、负载网络以及无源混频器三个部分，无源混频器配置在输入匹配网络或低噪声跨导或负载网络输出节点，所述输入匹配网络和负载网络都采用阻抗转换实现高Q值和高频率选择性，用于滤除频带外干扰；射频信号经由高Q值输入匹配网络滤波后，由输入跨导与高Q值经阻抗变换后的负载网络负载实现放大；由无源混频器将高频信号下变频为低频信号交由模拟或数字基带处理。本发明提供的射频前端具有功耗低、镜像抑制比高、带外线性度好、增益可配置性强、无需片外SAW滤波器等优点，适用于未来多功能集成射频芯片的应用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110084328.2

申请日期：2011-04-06

公开/公告号：CN102201798A

公开/公告日：2011-09-28

主分类号：H03H19/00(2006.01)I

申请/专利权人:北京大学

发明/设计人:王川;陈龙;叶乐;廖怀林;黄如

主申请人地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号

专利代理机构:北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人:余长江

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种适于纳米尺度的高频率选择性射频前端，其特征在于，包括具有高频输入匹配网络、低噪声跨导、负载网络以及无源混频器三个部分，无源混频器配置在输入匹配网络或低噪声跨导或负载网络输出节点,所述输入匹配网络和负载网络都采用阻抗转换实现高Q值和高频率选择性，用于滤除频带外干扰;射频信号经由高Q值输入匹配网络滤波后，由输入跨导与高Q值经阻抗变换后的负载网络负载实现放大；由无源混频器将高频信号下变频为低频信号交由模拟或数字基带处理。