应用于低频可变增益放大器的直流偏移消除电路
本发明公开了一种应用于低频可变增益放大器的直流偏移消除电路，其中可变增益放大器包含：输入差分对、电流缓冲器和共源输出级；直流偏移消除电路包含：跨导放大器和极小电流源偏置；跨导放大器的输入连接至可变增益放大器的输出端，用于将输出直流偏移电压转化为电流；跨导放大器的输出连接至可变增益放大器前级差分对的输出电流加和节点，构成负反馈回路。采用跨导放大器反馈回路和极小电流源偏置技术，实时校正信号通路中的直流偏移，在启动和切换增益过程中能够快速收敛，并且不限制可变增益放大器的初始状态。在输入信号通路的电流加和节点接入跨导放大器的反馈输出，极小电流源用来偏置跨导放大器的输入级。
发明专利
CN201110066317.1
2011-03-18
CN102176662A
2011-09-07
H03G3/30(2006.01)I
北京工业大学
黄冠中;吴颖杰;钟超俐;林平分
100124 北京市朝阳区平乐园100号
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203
楼艮基
北京;11
一种应用于低频可变增益放大器的直流偏移消除电路，其中可变增益放大器包含：输入差分对、电流缓冲器和共源输出级；直流偏移消除电路包含：跨导放大器和极小电流源偏置；其特征在于：跨导放大器的输入连接至可变增益放大器的输出端，用于将输出直流偏移电压转化为电流；跨导放大器的输出连接至可变增益放大器前级差分对的输出电流加和节点构成负反馈回路；所述的跨导放大器的输入端是晶体管层叠式连接的源漏极；跨导放大器的输出压控电流源之前用晶体管电容作为负载；所述跨导放大器含有：由(Mc1)、(Mc2)、(Mc3)、(Mc4)、(Mc5)、(Mc6)、(Mc7)、(Mc8)、(Mc17)、(Mc18)、(Mc21)、(Mc22)、(Mc25)、(Mc26)组成的PMOS管；由(Mc9)、(Mc10)、(Mc11)、(Mc12)、(Mc13)、(Mc14)、(Mc15)、(Mc6)，(Mc19)，(Mc20)，(Mc23)，(Mc24)，(Mc27)，(Mc28)组成的NMOS管；两个电阻(Rc1)，(Rc2)，其中：所述电阻(Rc1)，(Rc2)连接可变增益放大器的输出至以层叠式结构连接的NMOS管(Mc9)、(Mc10)、(Mc11)、(Mc12)、(Mc13)、(Mc14)、(Mc15)、(Mc6)的源漏极构成所述跨导放大器的输入级；所述PMOS管的(Mc1)、(Mc2)、(Mc3)、(Mc4)、(Mc5)、(Mc6)、(Mc7)、(Mc8)作为所述跨导放大器输入级的有源负载通过漏极连接至NMOS管的(Mc9)、(Mc10)、(Mc13)、(Mc14)的漏极；所述NMOS管的(Mc27)、(Mc28)和PMOS管的(Mc25)，(Mc26)作为所述跨导放大器输入级的负载电容通过栅极连接至所述NMOS管的(Mc10)、(Mc13)和PMOS管(Mc4)、(Mc7)的漏极；所述NMOS管(Mc17)、(Mc18)、(Mc21)、(Mc22)和PMOS管的(Mc19)，(Mc20)，(Mc23)，(Mc24)作为所述跨导放大器的压控电流源输出级通过栅极连接至所述NMOS管的(Mc10)，(Mc13)和PMOS管的(Mc4)，(Mc7)的漏极，通过漏极连接至所述可变增益放大器的电流加和节点。