可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法

摘要：

本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一侧设置有SOI调谐层，通过控制腐蚀时间控制SOI调谐层的厚度，带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，本发明能与IC兼容，易于集成，工艺简单，适合批量生产。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110063371.0

申请日期：2011-03-16

公开/公告号：CN102122941A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03H9/54(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明/设计人:杨增涛;马晋毅;冷俊林;杨正兵;赵建华;陈小兵;陈运祥;周勇;傅金桥;张龙

主申请人地址:400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

专利代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人:赵荣之

国别省市代码:重庆;85

权利要求：

可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括预设空腔型(8)的SOI基片和设置在SOI基片上的换能器，所述换能器包括底电极(9)、顶电极(11)和设置在底电极(9)与顶电极(11)之间的压电薄膜(10)，所述底电极(9)与SOI基片相结合，所述底电极(9)、顶电极(11)和压电薄膜(10)的叠加区域与预设空腔(8)相对，所述底电极(9)靠预设空腔(8)一侧设置有SOI调谐层(13)。