AlN/GaN/自持金刚石结构SAW器件及制备方法

摘要：

本发明公开了一种AlN/GaN/自持金刚石结构SAW（声表面波器件）器件及制备方法。所说的多层膜结构SAW器件是在自持金刚石厚膜衬底和AlN薄膜之间有高C轴择优取向的纳米GaN中间层。这种AlN/GaN/自持金刚石多层膜结构SAW器件及制备方法，是在自持金刚石厚膜衬底表面首先沉积高C轴择优取向的纳米GaN中间层，然后在纳米GaN中间层上沉积高C轴择优取向的AlN薄膜。本发明有益的效果是：采取高C轴择优取向的纳米GaN薄膜作为自持金刚石和AlN薄膜之间的中间层，可得到平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN薄膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、低损耗、大功率SAW器件等领域的应用需求。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110062224.1

申请日期：2011-03-16

公开/公告号：CN102185583A

公开/公告日：2011-09-14

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:大连理工大学

发明/设计人:秦福文;白亦真;张东;吴爱民;边继明

主申请人地址:116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

专利代理机构:大连星海专利事务所 21208

代理人:修德金

国别省市代码:辽宁;21

权利要求：

一种AlN/GaN/自持金刚石结构SAW器件，其特征在于，所说的多层膜结构SAW器件是在自持金刚石厚膜衬底和纳米AlN薄膜之间设有高C轴择优取向的纳米GaN中间层。