具有自导通晶体管和自截止晶体管的半导体电路装置

摘要：

描述了一种具有自导通晶体管和自截止晶体管的半导体电路装置，其具有：第一功率类型的自导通半导体部件（1）；与第一功率类型互补的第二功率类型的自截止半导体部件（2），其负载路径与第一半导体部件的负载路径串联；第一操控电路（3），其连接在第一半导体部件（1）的控制接线端子（11）和第一半导体部件（1）的布置在第一和第二半导体部件（1，2）之间的负载路径接线端子（12）之间；第二操控电路（4），其连接在第二半导体部件（2）的控制接线端子（21）和第二半导体部件（2）的布置在第一和第二半导体部件（1，2）之间的负载路径接线端子（22）之间。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110060260.4

申请日期：2011-03-14

公开/公告号：CN102223144A

公开/公告日：2011-10-19

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

发明/设计人:D. 多梅斯;U. 延森

主申请人地址:德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人:张涛%卢江

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

?半导体电路装置，其具有：第一功率类型的自导通半导体部件（1），具有负载路径和操控接线端子（11）；与第一功率类型互补的第二功率类型的自截止半导体部件（2），具有负载路径和操控接线端子（21），所述自截止半导体部件（2）的负载路径与第一半导体部件的负载路径串联；第一操控电路（3），其连接在第一半导体部件（1）的控制接线端子（11）和第一半导体部件（1）的布置在第一和第二半导体部件（1，2）之间的负载路径接线端子（12）之间；第二操控电路（4），其连接在第二半导体部件（2）的控制接线端子（21）和第二半导体部件（2）的布置在第一和第二半导体部件（1，2）之间的负载路径接线端子（22）之间。