一种闪存电路

摘要：

一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉MOS管和第二上拉MOS管，第一下拉MOS管和第二下拉MOS管以及第一反相器，通过增大第一下拉MOS管和第二下拉MOS管的源极电压，使所述源极电压大于第一下拉MOS管和第二下拉MOS管的栅极电压；同时增大第一上拉MOS管和第二上拉MOS管的衬底电压，使所述衬底电压大于第一上拉MOS管和第二上拉MOS管的源极电压。本发明通过对现有闪存电路中的电平移位电路的改进，使得当闪存系统处于待机时，可以减小流过MOS管的漏电电流，使MOS管不会受到高漏电流的损害。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110057568.3

申请日期：2011-03-10

公开/公告号：CN102122949A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03K19/0175(2006.01)I

申请/专利权人:上海宏力半导体制造有限公司

发明/设计人:杨光军

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:骆苏华

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉MOS管和第二上拉MOS管，第一下拉MOS管和第二下拉MOS管以及第一反相器，其特征在于，所述第一下拉MOS管的源极和所述第二下拉MOS管的源极分别连接于第一电压端和第二电压端，其中所述第一电压端的电压大于第一下拉MOS管的栅极电压，所述第二电压端的电压大于第二下拉MOS管的栅极电压；所述第一上拉MOS管的衬底和所述第二上拉MOS管的衬底分别连接于第三电压端和第四电压端，其中所述第三电压端的电压大于所述第一上拉MOS管的源极电压，所述第四电压端的电压大于所述第二上拉MOS管的源极电压。