控制双极半导体元件中的复合速率

摘要：

本发明涉及控制双极半导体元件中的复合速率。公开了一种用于控制双极半导体元件的基极区域中的复合速率的方法以及一种双极半导体元件。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110052049.8

申请日期：2011-03-04

公开/公告号：CN102195623A

公开/公告日：2011-09-21

主分类号：H03K17/00(2006.01)I

申请/专利权人:英飞凌科技奥地利有限公司

发明/设计人:F. 希尔勒;A. 莫德;F. D. 普菲尔施;H-J. 舒尔茨

主申请人地址:奥地利菲拉赫

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人:李娜%李家麟

国别省市代码:奥地利;AT

权利要求：

?一种用于控制双极半导体元件中的复合速率的方法，该双极半导体元件能操作为进入导通状态和断开状态且包含其中在导通状态中存在具有p型和n型电荷载流子的电荷载流子等离子体的基极区域，该方法包含：提供复合速率控制结构，该控制结构包含与基极区域毗邻的电介质层、通过该电介质层与基极区域分离的控制电极、以及复合中心；以及在该半导体元件进入导通状态之后且在该半导体元件进入断开状态之前，在控制电极和基极区域之间施加控制电压，该控制电压选择为使得在基极区域中产生电场，该电场减小复合中心的区域中的一种类型的电荷载流子浓度。