功率放大器器件

摘要：

本发明提供一种功率放大器器件，该功率放大器器件同时满足提供高输出和降低由所述功率放大器器件所占的芯片面积。形成于衬底之上的功率放大器器件包括设置为大体环状几何图形的初级电感器、接地图案、晶体管对和次级电感器。所述接地图案设置成当从垂直于所述衬底的方向观察时从环状的初级电感器内部的区域的部分延伸至所述初级电感器外部的区域内并且在所述初级电感器外部的区域中的多个点处接地。形成与初级电感器连接的晶体管对的第一晶体管和第二晶体管的第一主电极分别耦合至每个初级电感器的两个端部。第一晶体管和第二晶体管的第二主电极耦合至在初级电感器内部的区域中的所述接地图案并与相应的所述多个接地点电导通。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110048783.7

申请日期：2011-02-25

公开/公告号：CN102195574A

公开/公告日：2011-09-21

主分类号：H03F3/20(2006.01)I

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

发明/设计人:川上刚史;西川和康

主申请人地址:日本神奈川县

专利代理机构:北京市金杜律师事务所 11256

代理人:王茂华%董典红

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种功率放大器器件，形成在衬底之上，所述功率放大器器件包括：初级电感器，其包括多个电感器元件，所述多个电感器元件被设置成当从垂直于所述衬底的方向观察时呈大体环状几何图形；接地图案，其被设置成当从垂直于所述衬底的方向观察时从环状的所述初级电感器内部的区域的部分延伸至所述初级电感器外部的区域中，并且在所述初级电感器外部的区域中的多个点处接地；以及多个晶体管对，每个晶体管对被设置成与所述多个电感器元件中的每一个连接，其中，形成与所述电感器元件连接的晶体管对的第一晶体管和第二晶体管的第一主电极分别耦合至所述多个电感器元件中每一个的两个端部，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二主电极耦合至所述初级电感器内部的区域中的所述接地图案，并且与相应的所述多个点电导通，其中，提供作为差动输入信号的成对的第一信号和第二信号以分别控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的电极，以及其中所述功率放大器器件还包括次级电感器，所述次级电感器包括一匝绕组或多匝绕组且环状地设置成围绕所述初级电感器，并且所述次级电感器还通过磁耦合至所述初级电感器来合成并输出在每个电感器元件中合成的所述第一信号和所述第二信号的合成信号。