传输门电路及半导体装置
本发明涉及传输门电路及半导体装置。本发明提供能对应于各种输入电压而实现高S/N特性的传输门电路。其中包括：PMOS晶体管(11)，其在从漏极被输入输入电压Vin、栅极被输入电压(Vin-Vs1)时导通，并且将输入电压Vin作为输出电压Vout而从源极输出；以及NMOS晶体管(12)，其具有与PMOS晶体管(11)相等的栅极长度、栅极宽度、栅极氧化膜厚度和阈值电压的绝对值，在从漏极被输入输入电压Vin、栅极被输入电压(Vin+Vs1)时导通，并且将输入电压Vin作为输出电压Vout而从源极输出。
发明专利
CN201110039437.2
2011-02-09
CN102195637A
2011-09-21
H03K19/0185(2006.01)I
精工电子有限公司
小野贵士
日本千叶县千叶市
中国专利代理(香港)有限公司 72001
何欣亭%王忠忠
日本;JP
一种传输门电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管，其在从漏极输入输入电压并且栅极被输入从所述输入电压减去规定电压后的第一电压时导通，并且将所述输入电压作为输出电压而从源极输出；以及NMOS晶体管，其具有与所述PMOS晶体管相等的栅极长度、栅极宽度、栅极氧化膜厚度、和阈值电压的绝对值，在从漏极输入所述输入电压，并且栅极被输入对所述输入电压相加所述规定电压的第二电压时导通，并且将所述输入电压作为所述输出电压而从源极输出。