一种电平位移电路

摘要：

本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤波整形电路和RS触发器，其特征在于，高低电平位移转换电路包括LDMOS管，NMOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一二极管和第二二极管。相比现有的电平位移电路使用两个LDMOS管，本发明只使用了一个LDMOS管，因而减小了版图面积，并且通过单路脉冲的高低电平表征输入控制信号的上升沿和下降沿，实现了不同占空比输入电压的有效的电平位移。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110029933.X

申请日期：2011-01-27

公开/公告号：CN102185592A

公开/公告日：2011-09-14

主分类号：H03K5/08(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:方健;柏文斌;管超;吴琼乐;王泽华;高大伟;陈吕赟;杨毓俊;罗杰

主申请人地址:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

专利代理机构:电子科技大学专利中心 51203

代理人:周永宏

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤波整形电路和RS触发器，输入电压连接到双脉冲产生与整形电路输入端，其特征在于，高低电平位移转换电路包括LDMOS管，NMOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一二极管和第二二极管，输入电压连接到NMOS管的栅极，NMOS管的漏极与LDMOS管的源极相连，NMOS管的源极与第一电阻相连，第一电阻的另一端连接到绝对地，第二电阻与LDMOS管的漏极相连，第二电阻的另一端连接到绝对地，第三电阻一端接LDMOS管的漏极，另一端与外部的高压电源相连，第一二极管的正极与LDMOS管的漏极相连，第一二极管的负极与第二二极管的正极相连，第二二极管的负极与外部的高压电源相连，双脉冲产生与整形电路的输出端与LDMOS管的栅极相连，LDMOS管的漏极与高压脉冲滤波整形电路的输入端相连，高压脉冲滤波整形电路的输出端的上升沿脉冲与RS触发器的R端相连，高压脉冲滤波整形电路的输出端的下降沿脉冲与RS触发器的S端相连，RS触发器的Q端即为电平位移电路输出电压。