抗单粒子翻转高速低功耗锁存器

摘要：

本发明适用于半导体器件领域，提供了一种抗单粒子翻转高速低功耗锁存器，锁存器包括相交叉耦合的第一锁存器单元和第二锁存器单元，其中第一锁存器单元的时钟信号与第二锁存器单元的时钟信号互为反相，第一锁存器单元的数据信号与第二锁存器单元的数据信号互为反相；当第一锁存器单元敏感点的存储数值翻转时，由第二锁存单元通过反馈将第一锁存器单元敏感点的存储数值恢复，当第二锁存器单元敏感点的存储数值翻转时，由第一锁存单元通过反馈将第二锁存器单元敏感点的存储数值恢复。本发明所提供的抗单粒子翻转高速低功耗锁存器在普通工艺条件下，引入冗余存储节点，在一个节点翻转时可以通过反馈从其他节点恢复该节点的电压。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110003926.2

申请日期：2011-01-10

公开/公告号：CN102122950A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市国微电子股份有限公司

发明/设计人:彭锦军;裴国旭;徐建强;李晓辉;罗春华;李洛宇

主申请人地址:518000 广东省深圳市高新技术产业园南区高新南一道国微大厦6楼

国别省市代码:广东;44

权利要求：

抗单粒子翻转高速低功耗锁存器，其特征在于，所述锁存器包括相交叉耦合的第一锁存器单元和第二锁存器单元，其中第一锁存器单元的时钟信号与第二锁存器单元的时钟信号互为反相，第一锁存器单元的数据信号与第二锁存器单元的数据信号互为反相；当所述第一锁存器单元敏感点的存储数值翻转时，由所述第二锁存单元通过反馈将所述第一锁存器单元敏感点的存储数值恢复，当所述第二锁存器单元敏感点的存储数值翻转时，由所述第一锁存单元通过反馈将所述第二锁存器单元敏感点的存储数值恢复。