控制结型场效应晶体管的器件

摘要：

本发明涉及一种使得能够使用习惯用于控制MOSFET/IGBT的栅极控制电路控制JFET晶体管的器件。该器件包括：由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一单元，所述第一单元连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二单元，所述第二单元连接在第一单元的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，还连接到栅极控制电路(10)的第二输出端(101)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201080005548.5

申请日期：2010-01-15

公开/公告号：CN102301595A

公开/公告日：2011-12-28

主分类号：H03K17/00(2006.01)I

申请/专利权人:施耐德电器工业公司

发明/设计人:S.卡考伊特

主申请人地址:法国吕埃马迈松

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所 11105

代理人:史新宏

国别省市代码:法国;FR

权利要求：

一种控制JFET晶体管的器件，其特征在于，它包含：?包含第一输出端(100)和与JFET晶体管的源极(S)连接的第二输出端(101)的栅极控制电路(10)；?由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一组件，所述第一组件连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；以及?由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二组件，该第二组件一端连接在第一组件的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，而另一端与栅极控制电路(10)的第二输出端(101)连接。