半导体驱动装置
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半导体驱动装置

引用
本发明公开一种半导体驱动装置。当有短路故障发生在如IGBT之类的主开关单元中的栅极和发射极间时,通过热敏电阻检测到开启或关闭状态的栅极电阻的温度,同时驱动电路通过关闭开启或关闭状态的栅极驱动开关元件得到保护。此外,不是检测开启或关闭状态栅极电阻的温度,而是热敏电阻与开启或关闭状态的栅极驱动开关元件串联,对应于热敏电阻温度变化的电阻变化被检测到,并且驱动电路通过关闭开启或关闭状态的栅极驱动开关元件得到保护。

发明专利

CN201080005426.6

2010-07-28

CN102292914A

2011-12-21

H03K17/567(2006.01)I

富士电机株式会社

阿部康

日本神奈川县

上海专利商标事务所有限公司 31100

张鑫

日本;JP

一种半导体驱动装置,其特征在于,包括:接通驱动电路,包括正向偏置电源、第一开关元件以及用于接通半导体元件的接通栅极电阻;以及关断驱动电路,包括反向偏置电源、第二开关元件以及用于关断所述半导体元件的关断栅极电阻,其中,所述正向偏置电源和反向偏置电源被串联连接,由热接合于所述接通栅极电阻的第一热敏电阻与第一电阻串联连接而成的第一串联电路,连接于所述正向偏置电源的正极与所述反向偏置电源的负极之间、或者所述正向偏置电源的正极与负极之间,由热接合于所述关断栅极电阻的第二热敏电阻与第二电阻串联连接而成的第二串联电路,连接于所述正向偏置电源的正极与所述反向偏置电源的负极之间、或者所述反向偏置电源的正极与负极之间,其中,提供有当所述接通栅极电阻和关断栅极电阻中的任一个电阻的所述温度上升至等于或者大于预定值时关断所述第一或者第二开关元件的单元。
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2015-04-01授权
2012-07-11实质审查的生效
2011-12-21公开
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