一种比较器锁存电路

摘要：

本实用新型涉及一种比较器锁存电路，它包括一电流源以及第一至第六MOS管，其中，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极与所述电流源连接，它们的栅极分别接收第一输入电压和第二输入电压，它们的漏极分别与所述第三MOS管的源极以及第四MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极、第四MOS管的栅极以及第六MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的漏极、第三MOS管的栅极以及第五MOS管的栅极分别与所述第六MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的源极和第六MOS管的源极相连接地。本实用新型能改善高速比较器最后一级锁存级的转换速度，并急剧减小锁存器翻转时的踢回噪声。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020681528.7

申请日期：2010-12-27

公开/公告号：CN201956985U

公开/公告日：2011-08-31

主分类号：H03K3/012(2006.01)I

申请/专利权人:上海贝岭股份有限公司

发明/设计人:朱磊;师帅

主申请人地址:上海市徐汇区宜山路810号

专利代理机构:上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241

代理人:章蔚强

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种比较器锁存电路，它包括一电流源以及第一至第六MOS管，其中，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极与所述电流源连接，它们的栅极分别接收第一输入电压和第二输入电压，它们的漏极分别与所述第三MOS管的源极以及第四MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极、第四MOS管的栅极以及第六MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的漏极、第三MOS管的栅极以及第五MOS管的栅极分别与所述第六MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的源极和第六MOS管的源极相连接地，其特征在于，所述锁存电路还包括第七MOS管和第八MOS管，所述第七MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，并输出第一输出电压，所述第八MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，并输出第二输出电压，且所述第七MOS管的源极与第八MOS管的源极连接，它们的栅极相连接地。