一种用于桥式驱动电路的单端高压电平转换电路

摘要：

本实用新型公开了一种用于桥式驱动电路的单端高压电平转换电路，包括第一脉冲发生器、DMOS管、采样电阻和高压解码电路，第一脉冲发生器的信号输出端与DMOS管的栅极相连接，DMOS管的漏极分别与采样电阻的第二端和高压解码电路的信号输入端相连接，采样电阻的第一端和高压解码电路的电源端均与高压电平的电源端相连接，高压解码电路的地端与高压电平的地端相连接，高压解码电路的信号输出端为高压驱动输出信号端；优点在于在进行低压到高压的电平转换过程中只使用了一个DMOS管，能够节省较多芯片面积，大大降低芯片成本；由于其使用脉冲宽度最短的信号对DMOS管的栅极进行控制，这样在开关转换过程中高压DMOS管开通的时间很短，有效降低了芯片的功耗。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020679042.X

申请日期：2010-12-24

公开/公告号：CN201904774U

公开/公告日：2011-07-20

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:日银IMP微电子有限公司

发明/设计人:孙腾达

主申请人地址:315040 浙江省宁波市科技园区杨木契路578弄7号

专利代理机构:宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226

代理人:程晓明

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种用于桥式驱动电路的单端高压电平转换电路，其特征在于包括用于产生由两组不同脉冲个数的脉冲信号组成的低压控制脉冲信号的第一脉冲发生器、耐高压的DMOS管、采样电阻和高压解码电路，所述的第一脉冲发生器的信号输出端与所述的DMOS管的栅极相连接，所述的DMOS管的源极和衬底均接地，所述的DMOS管的漏极分别与所述的采样电阻的第二端和所述的高压解码电路的信号输入端相连接，所述的采样电阻的第一端和所述的高压解码电路的电源端均与高压电平的电源端相连接，所述的高压解码电路的地端与高压电平的地端相连接，所述的高压解码电路的信号输出端为高压驱动输出信号端；所述的第一脉冲发生器的信号输出端输出的低压控制脉冲信号控制所述的DMOS管导通或断开，所述的采样电阻转换所述的DMOS管的开关信号为电压信号实现低压到高压的电平转换，所述的高压解码电路解码所述的采样电阻转换后的电压信号。