一种高调谐线性度的VCO

摘要：

本实用新型公开了一种高调谐线性度的VCO。本实用新型的VCO包括控制电压信号处理单元和奇数个时延单元，针对现有的VCO的调谐线性度较差的缺点，通过控制电压信号处理单元对调谐控制电压信号进行处理，得到的第一PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极分别连接所述奇数个时延单元的第一调谐电压信号端口和第二调谐电压信号端口，这样原本以调谐控制电压信号来调谐奇数个时延单元的频率变成了第一调谐电压信号和第二调谐电压信号来调谐。根据叠加原理，第一调谐电压信号和第二调谐电压信号对奇数个时延单元的频率的调谐非线性相互抵消，进而可以提高VCO的调谐线性度。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020662769.7

申请日期：2010-12-16

公开/公告号：CN201904758U

公开/公告日：2011-07-20

主分类号：H03B1/04(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:文光俊;李方硕;杨拥军

主申请人地址:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

专利代理机构:电子科技大学专利中心 51203

代理人:周永宏

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种高调谐线性度的VCO，其特征在于，包括控制电压信号处理单元和奇数个时延单元，所述时延单元包括第一调谐电压信号端口、第二调谐电压信号端口，所述控制电压信号处理单元包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电压源和调谐控制电压信号端口，所述第一NMOS管的漏极连接第一电压源，第二NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极并相连接，并与第一NMOS管的源极和第一PMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极接地；所述第一PMOS管的源极与第一电压源连接，第一PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的漏极与第三NMOS管的栅极连接，第三NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极连接于调谐控制电压信号端口；所述控制电压信号处理单元的第一PMOS管的栅极与奇数个时延单元的第一调谐电压信号端口连接；所述控制电压信号处理单元的第三NMOS管的栅极与奇数个时延单元的第二调谐电压信号端口连接。