一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构
本实用新型提供了一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构,通过该结构能有效消除运放失调电压,且不需增加运放主体电路的器件,进而不会带来额外的电容,不会影响运放的速度。其特征在于:其包括运算放大器,所述运算放大器的两输入端通过可选择开关接地、或连接工作电压,所述运算放大器的两个PMOS管中,一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc,另一个PMOS管的衬底电压连接电压型数模转换器的输出电压,所述运算放大器的输出端连接比较器的负极,所述比较器的正极连接基准电压V,所述比较器连接N位减数器,所述N位减数器外接时钟输入,所述减数器的输出端连接所述电压型数模转换器。
实用新型
CN201020621757.X
2010-11-24
CN201893756U
2011-07-06
H03F3/45(2006.01)I
无锡思泰迪半导体有限公司
吴明远;应祖金;黄海滨
214028 江苏省无锡市新区长江路16号软件园1109室
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227
顾朝瑞
江苏;32
一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构,其特征在于:其包括运算放大器,所述运算放大器的两输入端通过可选择开关接地、或连接工作电压,所述运算放大器的两个PMOS管中,一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc,另一个PMOS管的衬底电压连接电压型数模转换器的输出电压,所述运算放大器的输出端连接比较器的负极,所述比较器的正极连接基准电压V,所述比较器连接N位减数器,所述N位减数器外接时钟输入,所述减数器的输出端连接所述电压型数模转换器。