一种晶体管耦合电路

摘要：

本实用新型公开了一种晶体管耦合电路，三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三极管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。电路简单，自耗电流小。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020621476.4

申请日期：2010-11-23

公开/公告号：CN201928260U

公开/公告日：2011-08-10

主分类号：H03K19/14(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市科瑞半导体有限公司

发明/设计人:李稳;高宗利

主申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平和安工业区第一栋第1层东南

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种晶体管耦合电路，其特征在于：三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。