一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路

摘要：

本实用新型公开了一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管、高压NMOS管、电流镜与锁存器，其中二极管包括第一二极管D1和第二二极管D2，高压NMOS管包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，电流镜由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，锁存器由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。电路结构比较简单，控制起来稳定可靠。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020610015.7

申请日期：2010-11-17

公开/公告号：CN201887743U

公开/公告日：2011-06-29

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:无锡芯朋微电子有限公司

发明/设计人:张立新;邹宇彤;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;胡旅顺

主申请人地址:214028 江苏省无锡市无锡新区长江路21-1号创源大厦8楼

专利代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人:楼高潮

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管（1）、高压NMOS管（2）、电流镜（3）与锁存器（4），其特征是：所述二极管（1）包括第一二极管D1和第二二极管D2，它们的的正端接第二高压电位VSW，负端接高压NMOS管（2）的输入端和电流镜（3）的输出端；?所述高压NMOS管（2）包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，第一高压NMOS管的栅端接第一控制信号SET，第二高压NMOS管的栅端接第二控制信号CLR，两个高压NMOS管的源端接地电位VGND，两个高压NMOS管的漏端作为输入端，接第一二极管D1和第二二极管D2的负端和电流镜（3）的输出端；?所述电流镜（3）由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的源端接第一高压电位HVDD，两者的栅连接在一起接到第一PMOS管P1的漏端，两者的漏端作为电流镜（3）的输出端；所述锁存器（4）由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。