用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路

摘要：

本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路，包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，休眠信号端，预充管，保持管，时钟管，休眠管，输出静态反相器和下拉网络。保持管，休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管，其余晶体管为低阈值的晶体管；PMOS休眠管的源极接电源，漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极，对于两个NMOS休眠管，一个NMOS休眠管的源极接动态结点，另一个NMOS休眠管的源极接输出端，两个NMOS休眠管的漏极接地电压；用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020574314.X

申请日期：2010-10-15

公开/公告号：CN201918976U

公开/公告日：2011-08-03

主分类号：H03K19/017(2006.01)I

申请/专利权人:北京工业大学

发明/设计人:汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖

主申请人地址:100124 北京市朝阳区平乐园100号

专利代理机构:北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人:魏聿珠

国别省市代码:北京;11

权利要求：

用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路，包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，休眠信号端，预充管，保持管，时钟管，休眠管，输出静态反相器和下拉网络，其特征在于：预充管，保持管，休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管，其余晶体管为低阈值的晶体管；PMOS休眠管的源极接电源，漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极，对于两个NMOS休眠管，一个NMOS休眠管的源极接动态结点，另一个NMOS休眠管的源极接输出端，两个NMOS休眠管的漏极接地电压；用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。