射频功率放大器功率合成电路
本实用新型公开了一种射频功率放大器功率合成电路。本实用新型所述电路中开关器件均可采用普通的CMOS工艺来实现，针对CMOS工艺开关击穿电压较低的缺点，通过合理的处理CMOS开关在功率合成网络中的连接方式，尽可能的降低CMOS开关上的电压摆幅，从而提高整个射频功率合成网络的可靠性；并且在整个功率合成网络中，通过灵活控制开关的导通与关断，实现不同工作模式下匹配网络的组合搭配，解决不同通道间信号泄漏的问题，从而保证射频信号的传输质量，有效提高了整个无线通信系统的性能。本实用新型还具有集成度高、成本低、开关控制电路简洁等优点。
实用新型
CN201020504744.4
2010-08-24
CN201733281U
2011-02-02
H03F3/20(2006.01)I
惠州市正源微电子有限公司
彭凤雄;张旭光
516023 广东省惠州市云山西路12号德赛大厦十九层
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
任海燕
广东;44
射频功率放大器功率合成电路，所述电路与天线连接，包括与射频功率放大器两频段信号输出端分别连接的第一匹配网络及第二匹配网络，与两频段信号接收端口分别连接的信号耦合电路，所述第一匹配网络及第二匹配网络通过双工器连接天线电路，其特征在于，所述第一匹配网络通过电感元件及与电感元件并联的开关元件接地，第二匹配网络通过电感元件及与电感元件并联的开关元件接地。