一种射频功率放大器

摘要：

本实用新型公开了一种射频功率放大器架构。射频功率放大器包括与射频输入信号连接的第一放大模块、与射频输出信号连接的第二放大模块，及连接于两放大模块之间的匹配网络、功率控制电路；所述第一放大模块、功率控制电路均采用CMOS工艺器件，且集成于一芯片内；所述第二放大模块采用GaAs工艺器件。本实用新型所述射频功率放大器兼顾CMOS工艺和GaAs工艺优点，其构架不仅能有效提高射频前端的集成度且不会恶化射频功率放大器的性能；与现有技术相比具有成本低、性能好的优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020504715.8

申请日期：2010-08-24

公开/公告号：CN201726370U

公开/公告日：2011-01-26

主分类号：H03F3/20(2006.01)I

申请/专利权人:惠州市正源微电子有限公司

发明/设计人:彭凤雄;赵明付

主申请人地址:516023 广东省惠州市云山西路12号德赛大厦十九层

专利代理机构:广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人:任海燕

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种射频功率放大器，包括与射频输入信号连接的第一放大模块、与射频输出信号连接的第二放大模块，及连接于两放大模块之间的匹配网络，其特征在于，所述第一放大模块采用CMOS工艺器件，所述第二放大模块采用GaAs工艺器件。