大功率四相交流开关

摘要：

本实用新型涉及一种大功率四相交流开关，包括封装体和塑封在封装体内底部的铜底板，所述的铜底板上、封装体内焊接有DCB板，DCB板上焊接有8个单向可控硅，所述的8个单向可控硅在DCB板上作反并联连接，每个单向可控硅的门极通过门极控制端子引出至封装体的外部，所述的8个单向可控硅从DCB板的两侧引出6个外电极到封装外壳的外部。本实用新型所述的结构使得大功率的四相交流开关具有高集成度，并且将单向可控硅器件封装在PBT外壳内减小了产品体积，相互干扰少，性能稳定，非常适合在条件较高的中大功率场合使用。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020269615.1

申请日期：2010-07-22

公开/公告号：CN201733284U

公开/公告日：2011-02-02

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:江苏矽莱克电子科技有限公司

发明/设计人:沈富德

主申请人地址:213024 江苏省常州市钟楼区西林街道富林路15号

专利代理机构:常州市维益专利事务所 32211

代理人:路接洲

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种大功率四相交流开关，包括封装体(1)和塑封在封装体(1)内底部的铜底板(2)，其特征在于：所述的铜底板(2)上、封装体(1)内焊接有DCB板(3)，DCB板(3)上焊接有8个单向可控硅(4)，所述的8个单向可控硅(4)在DCB板(3)上作反并联连接，每个单向可控硅(4)的门极通过门极控制端子(5)引出至封装体(1)的外部，所述的8个单向可控硅(4)从DCB板(3)的两侧引出6个外电极(6)到封装体(1)的外部。