一种控制三极管正向放大系数的电路

摘要：

本实用新型公开了一种控制三极管正向放大系数的电路，利用一个运算放大器和一个第二MOS管，通过将运算放大器的一个输入端耦合到电流为三极管的发射极电流的主功率开关管的漏极端，将运算放大器的另一个输入端耦合到第一MOS管的漏极端，使运算放大器的两个输入端处的电压相等，这样流过第一MOS管的电流将与三极管的发射极电流成比例，电流镜镜像流过第一MOS管的电流并提供给三极管的基极，使得三极管的基极电流与发射极电流成比例，达到了控制三极管的正向放大系数的目的，且三极管的正向放大系数不受三极管制造工艺和环境温度的影响，从而使得初级线圈的峰值电流不受三极管的正向放大系数的不同产生影响。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020247536.0

申请日期：2010-06-29

公开/公告号：CN201708767U

公开/公告日：2011-01-12

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:日银IMP微电子有限公司

发明/设计人:滕谋艳

主申请人地址:315040 浙江省宁波市科技园区杨木契路578弄7号

专利代理机构:宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226

代理人:程晓明

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于包括初级线圈、三极管、主功率开关管、用于比例所述的主功率开关管的电流且类型与所述的主功率开关管相同的第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、电流感应电阻及用于镜像所述的第一MOS管的电流的电流镜，所述的初级线圈的第一端接入输入电压，所述的初级线圈的第二端与所述的三极管的集电极相连接，所述的三极管的发射极分别与所述的运算放大器的第一输入端和所述的主功率开关管的漏极相连接，所述的主功率开关管的栅极和所述的第一MOS管的栅极均接入驱动信号，所述的主功率开关管的衬底和源极及所述的第一MOS管的衬底和源极均通过所述的电流感应电阻接地，所述的第一MOS管的漏极分别与所述的运算放大器的第二输入端及所述的第二MOS管的衬底和源极相连接，所述的第二MOS管的栅极与所述的运算放大器的输出端相连接，所述的第二MOS管的漏极与所述的电流镜相连接，所述的电流镜的输入端接入偏置电压，所述的电流镜的输出端与所述的三极管的基极相连接。