一种预充电型鉴频鉴相器

摘要：

本实用新型公开了一种预充电型鉴频鉴相器，包括预充电型鉴频鉴相电路，所述鉴频鉴相电路还连接有一高阻消除电路，所述高阻消除电路由第一至三反相器、第一、二P型MOS管以及第一至三N型MOS管连接构成。本实用新型在常用预充电型鉴频鉴相器的基础上通过加入高阻消除电路，一是消除了高阻节点，使电路输出节点时钟连接到电源或地上，输出节点电平在任何时刻都是确定的电平，电路抗干扰能力大大提高；二是消除了在输入信号由高到低变化过程中由电流竞争引起的输出电平偏离，使得输出电平回复到标准电平。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201020217169.X

申请日期：2010-06-07

公开/公告号：CN201699685U

公开/公告日：2011-01-05

主分类号：H03L7/085(2006.01)I

申请/专利权人:西安交通大学

发明/设计人:唐生东;张鸿;牛杨杨;程军;张瑞智

主申请人地址:710049 陕西省西安市咸宁路28号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人:汪人和

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种预充电型鉴频鉴相器，包括预充电型鉴频鉴相电路(3)，其特征在于：所述鉴频鉴相电路(3)还连接有一高阻消除电路(4)，所述高阻消除电路(4)包括第一至三反相器(inv1??inv3)、第一、二P型MOS管(Mpc1、Mpc2)以及第一至三N型MOS管(Mnc1??Mnc3)；第一反相器(inv1)的输入端连接有第一P型MOS管(Mpc1)的漏端和第一N型MOS管(Mnc1)的漏极，第一反相器(inv1)的输出端与第一P型MOS管(Mpc1)的栅端和第一N型MOS管(Mnc1)的栅极连接；第一N型MOS管(Mnc1)的源极与第二N型MOS管(Mnc2)的漏极连接，第二N型MOS管(Mnc2)的栅极同时连接到第二反相器(inv2)的输出端和第四N型MOS管(Mnc4)的栅极；第三反相器(inv3)的输入端连接有第二P型MOS管(Mpc2)的漏端和第三N型MOS管(Mnc3)的漏极，第三反相器(inv3)的输出端连接与第二P型MOS管(Mpc2)的栅端和第三N型MOS管(Mnc3)的栅极连接；第三N型MOS管(Mnc3)的源极与第四N型MOS管(Mnc4)的漏极连接。