带有预放大器的互补循环折叠增益自举运算放大器电路

摘要：

本发明公开了一种带有预放大器的互补循环折叠增益自举运算放大器电路，属于运算放大器技术领域。其具有由N型晶体管(N1、N2、N3、N4)构成的预放大器，通过P型晶体管(P1、P2、P3、P4)和N型晶体管(N16、N17、N18、N19)互补输入，以及采用循环折叠增益自举跨导运算放大器结构来提高跨导运算放大器的单位增益带宽。本电路具有高单位增益带宽和低功耗的特点，符合集成电路目前研究和发展的方向。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010618392.X

申请日期：2010-12-22

公开/公告号：CN102075151A

公开/公告日：2011-05-25

主分类号：H03F3/45(2006.01)I

申请/专利权人:清华大学

发明/设计人:魏琦;赵南;杨华中

主申请人地址:100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

专利代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人:王莹

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种带有预放大器的互补循环折叠增益自举运算放大器电路，其特征在于，包括：预放大器电路，P型互补输入支路以及N型互补输入支路，其中：所述预放大器电路包括第一NMOS晶体管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4，和第五NMOS管N5，其中：第五NMOS管N5源极接地，栅极接N型第一偏置电压Vbn1；第一NMOS管N1的栅极接第一全差分信号VINN；第二NMOS管N2的栅极接第二全差分信号VINP；该第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极相连后接所述第五NMOS管N5的漏极；第三NMOS管N3、第四NMOS管N4两者的栅极相连后接N型第零偏置电压Vbn0，两者的漏极相连后接电源电压VDD；所述P型互补输入支路包括：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3和第四PMOS管P4，其中：该第一PMOS管P1、第二PMOS管P2两者的栅极连接后接所述第一全差分信号VINN；该第三PMOS管P3、第四PMOS管P4两者的栅极连接后接所述第二全差分信号VINP；所述N型互补输入支路包括：第十六NMOS管N16、第十七NMOS管N17、第十八NMOS管N18和第十九NMOS管N19，其中：第十六NMOS晶体管N16、第十七NMOS管N17两者的栅极互连后接所述第一全差分信号VINN；第十八NMOS管N18、第十九NMOS管N19两者的栅极互连后接所述第二全差分信号VINP。