低失真MOS衰减器

摘要：

本发明涉及低失真MOS衰减器。一种衰减电路，对于为在0Hz到约30MHz的范围间工运作的接收器，使用电压控制的可变电阻晶体管作为信号衰减器的衰减电路。所述晶体管在线性区域内运作以将用于进行信号衰减的晶体管电阻特性线性化。在示例性应用中，所述衰减电路用作用于具有自动增益控制的AM无线电广播接收器和放大器的RF衰减器。多个衰减电路可以被并联耦合，每个衰减电路具有不同尺寸的可变电阻晶体管，以构成可以在最小化失真的同时增大衰减范围的顺序触发级。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010617587.2

申请日期：2010-12-27

公开/公告号：CN102118138A

公开/公告日：2011-07-06

主分类号：H03H7/00(2006.01)I

申请/专利权人:马克西姆综合产品公司

发明/设计人:R·G·迈耶;J·D·伯科兰德

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京市金杜律师事务所 11256

代理人:王茂华%董典红

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种对信号进行衰减的方法，所述方法包括：a.使用作为可变电阻器的晶体管对所述信号进行衰减；b.使用耦合到所述晶体管的缩放电路对所述信号进行缩放；以及c.将经缩放信号和直流偏置信号一起施加到所述晶体管，从而调整用以衰减所述信号的所述晶体管的电阻。