一种高线性度的低噪声放大器电路
本发明公开了一种高线性度的低噪声放大器电路。本发明的低噪声放大器电路包括共栅-共源电路单元、开关电路单元和二级放大电路单元，针对现有的一种低噪声放大器电路仅仅采用伪差分放大器作为二级放大器单元，不能很好地抑制电路的非线性失真的缺点，本发明通过以第一晶体管和第二晶体管组成的全差分电路和以第三晶体管和第四晶体管组成的伪差分电路构成的二级放大电路单元，在射频性能不恶化的前提下，使得低噪声放大器电路的线性度指标三阶交调截点相比背景技术中的文献中所述的放大器电路，约提高了10dBm，同时提高了共模抑制比。
发明专利
CN201010611182.8
2010-12-29
CN102035479A
2011-04-27
H03F1/32(2006.01)I
电子科技大学
文光俊;刘学敏;杨拥军
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
电子科技大学专利中心 51203
周永宏
四川;51
一种高线性度的低噪声放大器电路，包括：共栅?共源电路单元、开关电路单元和二级放大电路单元，共栅?共源电路单元通过第一耦合电容和第二耦合电容与二级放大电路单元相连，其特征在于，二级放大电路单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、电流源、第一偏置电压源端口、第一负载电阻和第二负载电阻，所述第一晶体管的栅极与第一耦合电容相连，第一晶体管的源极与电流源相连，第一晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极相连；所述第二晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第二晶体管的源极与电流源相连，第二晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第三晶体管的栅极与第一耦合电容相连，第三晶体管的源极接地，第三晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极相连；所述第四晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第四晶体管的源极接地，第四晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第五晶体管的漏极与第一负载电阻相连，第五晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连；第六晶体管的漏极与第二负载电阻相连，第六晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连。