一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举开关

摘要：

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举T/H开关。该T/H开关包括栅压自举环路和NMOS开关管。本发明中实现的可阵列式用的全数字CMOS工艺T/H开关摒弃传统的采用电容实现的栅压自举环路，采用反向连接的PMOS管来实现，从而大大减小的栅压自举开关的可实现芯片面积，更易于开关的集成和阵列应用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010604307.4

申请日期：2010-12-24

公开/公告号：CN102006041A

公开/公告日：2011-04-06

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:复旦大学

发明/设计人:任俊彦;王明硕

主申请人地址:200433 上海市杨浦区邯郸路220号

专利代理机构:上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人:陆飞%盛志范

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种栅压自举开关，其特征在于该电路包括栅压自举开关（39）和保持电容（38）；其中栅压自举开关（39）包括栅压自举PMOS管MP7（29）、自举环路开关MP4（28）、MP5（31）和MN9（30）、MP5栅压控制端电压驱动电路（32）、开关管栅压泄放回路（33）、辅助开关管MN12（34）、NMOS开关管MN13（35）、模拟信号输入端（36）和离散信号输出端（37），其中栅压自举开关（39）中的自举电容采用PMOS管MP7实现，即将PMOS管MP7的源端、漏端和衬底连接到一起作为电容的上极板和栅压自举环路开关的MP4的漏端连到一起，而PMOS管MP7的栅端和栅压自举环路开关MN9的漏端连到一起作为电容的下极板。