一种具有合理死区时间的非交叠信号的产生方法

摘要：

本发明采用双环(内环和外环)来产生合适的死区时间的非交叠信号，以此得到合适的死区时间。内环中，由与非门和或非门通过逻辑运算实现，避免最后一级驱动管存在同时导通的状态；同时外环中，采用内环中产生的非交叠信号的适当时延作为反馈信号进一步控制内环信号，得到合适的死区时间的非交叠信号。本发明在两个闭环系统中用数字信号控制非交叠信号的死区时间，电路简单且容易调试，可靠性高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010603935.0

申请日期：2010-12-24

公开/公告号：CN102075177A

公开/公告日：2011-05-25

主分类号：H03K19/08(2006.01)I

申请/专利权人:苏州华芯微电子股份有限公司

发明/设计人:雷红军;杜坦;贾力;石万文;江石根;陈志明;徐挺;徐君怡

主申请人地址:215011 江苏省苏州市高新区向阳路198号

专利代理机构:北京华夏博通专利事务所 11264

代理人:孙东风

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种具有合理死区时间的非交叠信号的产生方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)采用数字逻辑电路使得输出信号为非交叠信号，这组数字逻辑电路称为内环控制电路，内环控制电路包括输入端、输出端、接地端和电源端；2)选两组上述内环控制电路，分别称为P内环控制电路和N内环控制电路，对P内环控制电路的输出信号pgate进行延时反向处理得到P延时反向信号FN；对N内环控制电路的输出信号ngate进行延时反向处理得到N延时反向信号FP；3)将P延时反向信号FN、一个使能信号ENB和原NMOS控制信号NG三个信号经过一个或非门输出P或非信号，P或非信号作为N内环控制电路的输入信号；所述的原NMOS控制信号NG是指现有技术中控制NMOS功率管的信号；4)将N延时反向信号FP、又一个使能信号EN和原PMOS控制信号PG三个信号经过一个与非门输出N与非信号，N与非信号作为P内环控制电路的输入信号；所述的原PMOS控制信号PG是指现有技术中控制PMOS功率管的信号；所述的有一个使能信号EN为使能信号ENB的反向信号；5)所述的P内环控制电路的输出信号pgate即为最终控制PMOS功率管的信号；所述的N内环控制电路的输出信号ngate即为最终控制NMOS功率管的信号。