一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法

摘要：

本发明涉及一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括第一器件(100)，第二器件(200)；在其中横向彼此相邻地实施第一器件(100)和第二器件(200)的衬底(300)；以及复合区域(400)。所述复合区域(400)实施于第一器件(100)和第二器件(200)之间的衬底(300)中，从而在第一器件(100)和第二器件(200)之间扩散的电荷载流子复合。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010602675.5

申请日期：2010-11-04

公开/公告号：CN102122945A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

发明/设计人:R·布赫贝格尔;H-J·舒尔策

主申请人地址:德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人:李娜%李家麟

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

一种半导体器件，包括：第一器件(100)；第二器件(200)；在其中横向彼此相邻地形成第一器件(100)和第二器件(200)的衬底(300)；以及形成于第一器件(100)和第二器件(200)之间的衬底(300)中的复合区域(400)，从而在第一器件(100)和第二器件(200)之间扩散的电荷载流子复合。