具有有效去耦合的射频放大器
本发明涉及一种具有有效去耦合的射频放大器。实现了用于射频放大器的多种电路、方法和器件。根据一个这样的实现方式，在SMD封装中实现了射频放大器电路。电路对具有基带部分的射频信号以及频率间隔大于基带带宽的多个载波信号进行放大。电路包括射频晶体管，与具有寄生输出电容的电路输出相连接。源极-漏极端子电连接至电路输出。内部分路电感器提供对寄生输出电容的补偿。高密度电容器连接在内部分路电感器和电路地之间。高密度电容器所具有的端子的表面区域可以至少是对应平面表面的表面积的十倍。
发明专利
CN201010600458.2
2010-12-17
CN102148605A
2011-08-10
H03F3/189(2006.01)I
NXP股份有限公司
威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;特奥多鲁斯·威廉默斯·巴克;让·皮埃尔·罗格·拉米;吉尼斯·巴拉克什纳·皮拉伊·科丘普拉卡尔;弗莱迪·罗兹博
荷兰艾恩德霍芬
中科专利商标代理有限责任公司 11021
王波波
荷兰;NL
一种射频放大器电路，被限制于表面贴装器件封装大小，并被设计为对包括基带部分在内的射频信号以及多个载波信号进行放大，所述载波信号所具有的频率间隔大于射频信号的基带部分的带宽，所述射频放大器电路包括：射频晶体管，具有栅极端子和漏极端子；电路输出，具有寄生输出电容；电连接，在源极?漏极端子和电路输出之间；内部分路电感器，提供对寄生输出电容的补偿；以及高密度电容器，提供足以在频率间隔附近的频率处提供低有效阻抗的电容，并连接在内部分路电感器和电路地之间，所述高密度电容器包括轮廓包含三维结构的端子，所述端子的表面区域是该相同轮廓的平面表面的大约至少十倍。