用于UWB信号发送装置的低电压混合器电路
本发明涉及一种用于UWB信号发送装置的低电压混合器电路。低电压混合器电路可被安装到UWB信号发送装置。此电路包含第一与第二NMOS晶体管差动对(M5，M6，M7，M8)，其中，第一对的晶体管(M5，M6)的源极连接到跨导级的第一MOS晶体管反转器布置(M1，M3)的输出，第二对的晶体管(M7，M8)的源极连接到跨导级的第二MOS晶体管反转器布置(M2，M4)的输出。第一对的第一NMOS晶体管(M5)的漏极和第二对的第二NMOS晶体管(M7)的漏极连接到第一电阻器(R0)，用于供给第一输出信号(RF0)。第二对的第一NMOS晶体管(M8)的漏极和第一对的第二晶体管(M6)的漏极连接到第二电阻器(R1)，用于供给第二输出信号(RF1)。第一与第二电阻器连接到供电电压源的高电位端子(VDD)。差动对的第一NMOS晶体管(M5，M8)的栅极接收第一载波频率信号(LOP)，而差动对的第二NMOS晶体管(M6，M7)的栅极接收第二载波频率信号(LON)。第一数据信号(IN0)被供到第一反转器布置(M1，M3)的输入，而第二数据信号(IN1)被供到第二反转器布置(M2，M4)的输入。
发明专利
CN201010595626.3
2010-12-16
CN102104364A
2011-06-22
H03D7/00(2006.01)I
斯沃奇集团研究和开发有限公司
L·德罗萨
瑞士马林
北京市中咨律师事务所 11247
杨晓光%郭晓华
瑞士;CH
一种低电压混合器电路(3)，特别用于UWB信号发送装置(1)，该混合器电路包含：?跨导级，其包含反转晶体管布置(M1，M3)，反转晶体管布置(M1，M3)具有和PMOS晶体管(M3)串联连接在供电电压源(VDD)的两个端子之间的NMOS晶体管(M1)，NMOS晶体管的漏极连接到PMOS晶体管的漏极，从而限定跨导级的输出连接节点，NMOS晶体管的栅极连接到PMOS晶体管的栅极，用于接收数据信号(IN0)；?至少一个晶体管(M5)，其中，第一电流端子连接到跨导级的连接节点，第二电流极连接到阻抗(R0)，用于供给输出信号(RF0)，晶体管(M5)控制端子被布置为用于接收来自振荡器(4)的信号(LOP)，?连接到跨导级的连接节点的晶体管，串联连接在供电电压源(VDD)的两个端子之间的阻抗，其特征在于集成在硅衬底中，跨导级的NMOS晶体管(M1)的衬底或阱电位被设置在适应在供电电压源的低电位和高电位之间的第一电位，跨导级的PMOS晶体管(M3)的衬底或阱电位被设置在适应在供电电压源的低电位和高电位之间的第二电位。