晶体装置

摘要：

本发明提供一种使用了能够微调整频率的台面型晶片的晶体装置。本发明的晶体装置(1)包括：晶片(3d)，具有厚壁部(8)和薄壁部(9)，在所述厚壁部(8)的两个主表面上形成有激励电极(10)，与所述激励电极(10)电性连接的引出电极(11)形成于端部；容器主体(2)，具有收容所述晶片(3d)的凹部；以及盖(4)，接合于所述容器主体(2)的开口端面，并将所述晶片(3d)密闭封入；在所述晶体装置(1)中，与所述激励电极(10)电性分离而独立存在的频率调整用金属膜(13)形成于所述晶片(3d)的所述薄壁部(9)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010591520.6

申请日期：2010-12-13

公开/公告号：CN102185581A

公开/公告日：2011-09-14

主分类号：H03H9/15(2006.01)I

申请/专利权人:日本电波工业株式会社

发明/设计人:市川了一

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人:程伟%王锦阳

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种晶体装置，包括：晶片，具有厚壁部和薄壁部，在所述厚壁部的两个主表面上形成有激励电极，与所述激励电极电性连接的引出电极形成于端部；容器主体，具有收容所述晶片的凹部；以及盖，接合于所述容器主体的开口端面，并将所述晶片密闭封入；所述晶体装置的特征在于，与所述激励电极电性分离而独立存在的频率调整用金属膜形成于所述晶片的所述薄壁部。