半导体器件和使用所述器件的开关调节器

摘要：

根据本发明的半导体器件包括：n沟道输出晶体管，其中在漏极上施加输入电压，并且从源极引出与晶体管的开关驱动相对应的脉冲式开关电压；自举电路，用于产生比开关电压高预定电势的升压电压；内部电路，用于接收所述升压电压的供应以产生开关驱动信号，并且将所述信号供应给输出晶体管的栅极；过压保护电路，用于监测所述开关电压和所述升压电压之间的电势差，并且用于产生过压检测信号；以及开关元件，根据所述过压检测信号，在所述内部电路和施加所述升压电压的端子之间建立/阻断电传导。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010586601.7

申请日期：2010-12-09

公开/公告号：CN102098030A

公开/公告日：2011-06-15

主分类号：H03K17/10(2006.01)I

申请/专利权人:罗姆股份有限公司

发明/设计人:村上和宏;土井干也;福本洋祐

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:吕雁葭

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种半导体器件，包括：n沟道或npn型输出晶体管，其中在漏极或集电极上施加输入电压，并且从源极或发射极引出与晶体管的开关驱动相对应的脉冲式开关电压；自举电路，用于产生比开关电压高预定电势的升压电压；内部电路，用于接收所述升压电压的供应以产生开关驱动信号，并且将所述信号供应给输出晶体管的栅极或基极；过压保护电路，用于监测所述开关电压和所述升压电压之间的电势差，并且用于产生过压检测信号；以及开关元件，根据所述过压检测信号，在所述内部电路和施加所述升压电压的端子之间建立/阻断电传导。