一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO

摘要：

一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC?VCO(基于电感-电容谐振的压控振荡器)，其尾电流源由工作在线性区的P-MOSFET管M6和工作在饱和区的P-MOSFET管M8串联而成，P-MOSFET管M6与P-MOSFET管M8的栅极接在一起，电流镜由另两个P-MOSFET管M5、M7对P-MOSFET管M6、P-MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。由于线性区工作的P-MOSFET管M6的漏源电压很小，从而，M6管的引入对VCO输出信号的最大摆幅影响较小。此外，M6管的引入使M8管的漏端(即A点)看进去的等效电阻变大，从而谐振腔的损耗减小，使该LC?VCO可以实现更低的相位噪声。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010579378.3

申请日期：2010-12-08

公开/公告号：CN102088289A

公开/公告日：2011-06-08

主分类号：H03L7/099(2006.01)I

申请/专利权人:西安交通大学

发明/设计人:邵志标;胡志刚;姚剑峰

主申请人地址:710049 陕西省西安市咸宁西路28号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人:陆万寿

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC?VCO，其特征在于：该尾电流源结构的低相位噪声LC?VCO的尾电流源由工作在线性区的P?MOSFET管M6和工作在饱和区的P?MOSFET管M8串联而成，P?MOSFET管M6与P?MOSFET管M8的栅极接在一起的，电流镜由另外两个P?MOSFET管M5、M7对P?MOSFET管M6、P?MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。