一种高基频晶体谐振器的生产方法

摘要：

本发明公开了一种高基频晶体谐振器的生产方法，包括如下步骤：步骤A，选取石英晶片进行加工，使石英晶片频率为152.6MHz±120kHz；步骤B，在真空条件下，先在石英晶片上蒸镀铝层，使石英晶片频率降低到149.67MHz±120kHz，再在铝层表面蒸镀银层，使石英晶片频率降低到149.0MHz±120kHz；步骤C，在真空设备中，用离子刻蚀方法轰击银层，使石英晶片的频率回升至150MHz±5kHz。本发明可有效防止铝电极的氧化及提高频率控制精度，操作简单易行，且适于批量生产。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010578963.1

申请日期：2010-12-08

公开/公告号：CN102088274A

公开/公告日：2011-06-08

主分类号：H03H3/02(2006.01)I

申请/专利权人:郑州原创电子科技有限公司

发明/设计人:邹飞;刘尊伟

主申请人地址:450016 河南省郑州市经济技术开发区第五大街129号高科技工业园2号楼

专利代理机构:郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117

代理人:徐皂兰

国别省市代码:河南;41

权利要求：

一种高基频晶体谐振器的生产方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤A，选取石英晶片进行加工，使石英晶片频率的中心值为152.6MHz±120kHz；步骤B，在真空条件下，先在石英晶片上蒸镀铝层，使石英晶片频率的中心值降低到149.67MHz±120kHz，再在铝层表面蒸镀银层，使石英晶片频率的中心值降低到149.0MHz±120kHz；步骤C，在真空设备中，用离子刻蚀方法轰击银层，使石英晶片的频率的中心值回升至150MHz±5kHz。