一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的方法及其结构

摘要：

本发明提供了一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的方法及其结构，能有效消除运放失调电压，且不会带来额外的电容，不会影响运放的速度。其特征在于：校正时，运算放大器的两输入端接地，运算放大器的两个PMOS管中，一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc，另一个PMOS管的衬底电压连接可变电压Vcb，运算放大器的输出端Vout连接比较器的负极，比较器的正极接入基准电压V，比较器的输出连接减数器，单个时钟周期T内，比较器的正极电压值小于负极电压值，输出为0，减数器减1，对应输出的数值通过控制电压型数模转换器控制可变电压Vcb的数值，进而调小Vout，直至Vout＜V，此时比较器的输出为1，减数器停止减数，从而电压型数模转换器的电压Vcb数值保持不变。???

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010556704.9

申请日期：2010-11-24

公开/公告号：CN101986557A

公开/公告日：2011-03-16

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:无锡思泰迪半导体有限公司

发明/设计人:吴明远;应祖金;黄海滨

主申请人地址:214028 江苏省无锡市新区长江路16号软件园1109室

专利代理机构:无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227

代理人:顾朝瑞

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的方法，其包括运算放大器，其特征在于：校正时，运算放大器的两输入端接地，所述运算放大器的两个PMOS管中，一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc，另一个PMOS管的衬底电压连接可变电压Vcb，所述运算放大器的输出端Vout连接所述比较器的负极，所述比较器的正极接入基准电压V，所述比较器的输出连接减数器，单个时钟周期T内，比较器的正极电压值小于负极电压值，输出为0，减数器减1，对应输出的数值通过控制电压型数模转换器控制所述可变电压Vcb的数值，进而调小Vout，直至Vout＜V，此时比较器的输出为1，减数器停止减数，从而所述电压型数模转换器的电压Vcb数值保持不变，校正结束，之后工作电压Vinp、Vinn分别接入所述运算放大器的两输入端，所述运算放大器的输出端连接芯片的元器件，进入正常使用状态。