基于SRAM的卷积交织方法及其装置

摘要：

本发明提供了一种基于SRAM的卷积交织方法，其特征在于按如下步骤进行：（1）、启动与SRAM电路连接的地址发生器，通过地址发生器内部的控制电路，并结合地址发生器内部的分支基地址产生器和分支偏移地址产生器产生相对应的基地址和偏移地址，所述基地址和偏移地址共同组成数据读写总地址；（2）、启动SRAM读写控制电路，并结合步骤(1)产生的数据读写总地址，从SRAM存储器中读出已卷积交织数据；（3）、在SRAM存储器的同一地址单元内写入待卷积交织数据；（4）、继续（1），如此循环。本发明的特点是硬件电路简单、成本低廉、设计灵活、使用方便，可针对不同复杂性系统的需求进行设计。?

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010540200.8

申请日期：2010-11-11

公开/公告号：CN102006087A

公开/公告日：2011-04-06

主分类号：H03M13/23(2006.01)I

申请/专利权人:福州大学

发明/设计人:苏凯雄;周文;程钢;杨秀芝

主申请人地址:350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区

专利代理机构:福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人:蔡学俊

国别省市代码:福建;35

权利要求：

一种基于SRAM的卷积交织方法，其特征在于按如下步骤进行：（1）、启动与SRAM电路连接的地址发生器，通过地址发生器内部的控制电路，并结合地址发生器内部的分支基地址产生器和分支偏移地址产生器产生相对应的基地址和偏移地址，所述基地址和偏移地址共同组成数据读写总地址；（2）、启动SRAM读写控制电路，并结合步骤(1)产生的数据读写总地址，从SRAM存储器中读出已卷积交织数据；?（3）、在SRAM存储器的同一地址单元内写入待卷积交织数据；（4）、继续（1），如此循环。