半导体器件

摘要：

本发明涉及一种半导体器件。根据本发明的示例性实施例的半导体器件包括放电电路和控制电路。放电电路包括第一晶体管，该第一晶体管被连接在输出晶体管的栅极和输出端子之间；和电容器，该电容器被连接到第一晶体管的栅极，并且通过以电容器的电荷来导通第一晶体管，从而将输出电容器的栅极电压放电到输出端子。控制电路包括充电路径、第一放电路径、以及第二放电路径。当系统截止时，第一放电路径对被充电的电容器的电荷进行放电。在比用于在检测到系统中的异常时通过放电电路对输出晶体管进行放电的时间段更长的时间段，第二放电路径对电容器的电荷进行放电。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010528706.7

申请日期：2010-10-25

公开/公告号：CN102045047A

公开/公告日：2011-05-04

主分类号：H03K17/08(2006.01)I

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

发明/设计人:福原淳;满田刚

主申请人地址:日本神奈川县

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人:孙志湧%穆德骏

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种半导体器件，包括：输出晶体管，所述输出晶体管被连接在电源端子和输出端子之间，并且将电流输出到被连接到所述输出端子的负载；放电电路，所述放电电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管被连接在所述输出晶体管的栅极和所述输出端子之间；和电容器，所述电容器被连接在所述第一晶体管的栅极和外部异常检测电路之间，并且基于来自于所述异常检测电路的异常检测信号，通过以所述电容器的电荷导通所述第一晶体管，来将所述输出晶体管的栅极电压放电到所述输出端子；以及控制电路，所述控制电路包括：充电路径，所述充电路径用于当系统导通时对所述电容器进行充电；第一放电路径，所述第一放电路径用于当所述系统截止时对被充电的所述电容器的电荷进行放电；以及第二放电路径，所述第二放电路径用于在检测到所述系统中的异常时，以比用于通过所述放电电路对所述输出晶体管的栅极电压进行放电的时间段更长的时间段，对所述电容器的电荷进行放电。