一种空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)的制作方法

摘要：

本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器，包括一种带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器构成。其特征为：所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；顶层硅上部设置换能器，换能器由压电薄膜以及镀在压电薄膜上下表面的薄电极构成；谐振器可调谐，通过控制空腔上部顶层硅的刻蚀时间来调整其厚度，从而调整谐振器的谐振频率。由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，能与IC兼容，易于集成，本发明工艺简单，适合批量生产。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010526799.X

申请日期：2010-11-01

公开/公告号：CN101977026A

公开/公告日：2011-02-16

主分类号：H03H3/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明/设计人:杨增涛;马晋毅;江洪敏;杨正兵;冷俊林;欧黎;傅金桥;赵治国;张涛;张龙;刘积学

主申请人地址:400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

国别省市代码:重庆;85

权利要求：

一种空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)的制作方法，其特征在于：所述谐振器由一种带空腔SOI(绝缘体硅)基片和设置在基片上的压电薄膜换能器构成；所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，形成空腔结构；顶层硅(器件硅层)上部设置换能器，换能器由中间压电薄膜以及镀在压电薄膜上下表面的薄电极构成；谐振器可调谐，通过控制刻蚀时间来调整顶层硅的厚度，从而调整谐振器的谐振频率。