固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法

摘要：

固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法，涉及一种固贴式薄膜体声波谐振器及其反射栅制备方法。解决了现有固贴式薄膜体声波谐振器应用中存在寄生电容，进而导致器件电声性能的大幅下降与不稳定的问题，所述谐振器为上下电极和压电薄膜组成的压电振荡堆三明治结构直接生长到全绝缘布拉格反射栅上面，全绝缘布拉格反射栅由3～7组高声阻抗膜层和低声阻抗膜层交替组成，所述制备方法，具体为：一、体系设计；二、基片清洗；三、沉积首层低声阻抗SiO2薄膜；四、沉积硅作为粘结层；五、沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜；六、沉积硅薄膜作为粘结层；七、沉积第二层低声阻抗SiO2薄膜。本发明适用于电声性能要求稳定的应用领域。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010522828.5

申请日期：2010-10-28

公开/公告号：CN101997512A

公开/公告日：2011-03-30

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:哈尔滨工业大学

发明/设计人:朱嘉琦;刘罡;王赛;陆晓欣;刘远鹏

主申请人地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利代理机构:哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人:张果瑞

国别省市代码:黑龙江;23

权利要求：

固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于它包括上电极(1)、下电极(2)、压电薄膜(3)、全绝缘布拉格反射栅(4)和Si基底(5)，上电极(1)、下电极(2)和压电薄膜(3)组成以压电薄膜(3)为中心的压电振荡堆三明治结构，压电振荡堆直接生长到全绝缘布拉格反射栅(4)上面，全绝缘布拉格反射栅(4)生长在Si基底(5)上。