用于低功耗VLSI的最优门控向量双阈值多米诺电路

摘要：

本发明涉及一种用于低功耗VLSI的最优门控向量双阈值多米诺电路，即在双阈值多米诺电路处于休眠态的情况下，通过采用最优的门控向量减小多米诺电路的漏功耗。当双阈值多米诺电路由工作状态刚刚进入休眠态后，由于时间短，芯片温度保持高温不变，此时采用输入信号和时钟信号均为高电平的门控向量能有效的降低漏功耗；当双阈值多米诺电路由工作状态进入休眠态一段时间后，芯片温度降至室温，此时采用输入信号和时钟信号均为低电平的门控向量更能有效的降低漏功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010515483.0

申请日期：2010-10-15

公开/公告号：CN102075178A

公开/公告日：2011-05-25

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:北京工业大学

发明/设计人:汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖

主申请人地址:100124 北京市朝阳区平乐园100号

专利代理机构:北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人:魏聿珠

国别省市代码:北京;11

权利要求：

用于低功耗VLSI的最优门控向量双阈值多米诺电路，包括几部分：用于低功耗VLSI的最优门控向量双阈值多米诺电路，包含有双阈值多米诺电路。双阈值多米诺电路包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，预充管，保持管，时钟管，输出静态反相器和下拉网络(PDN)，其中预充管，保持管和静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管，其余晶体管为低阈值的晶体管。当双阈值多米诺电路由工作状态刚刚进入休眠态后，当时间短，芯片温度保持高温不变，此时采用输入信号和时钟信号均为高电平的门控向量能有效的降低静态功耗；当双阈值多米诺电路由工作状态进入休眠态一段时间后，芯片温度降至室温，此时采用输入信号和时钟信号均为低电平的门控向量更能有效的降低静态功耗。